Windows 8 专业版/核心板/企业版/专业版VL的区别

 
2012年9月25日 分类: 技术文档
 

自己今天安装 WIN8,用神KEY激活,发现提示错误,错误信息 Error xxxxxxx on computer non-core edition 之类的,后来看了下自己WIN8版本,我擦,不是PRO版的,怎么弄出个CORE版的,下载的明明是WIN8 PRO版啊,Google 了一下,原来下载的版本包括核心板和专业版,根据输入CDKEY的不同,而自动选择版本安装的。看来只能重新安装啦。

Windows 8 :包含专业版+核心版镜像,零售版本(亦可批量授权),根据所输密钥自动选择版本。
Windows 8 Pro VL:专业版,批量授权版本,和零售版相比仅提供对象不同,另外无法在线升级WMC,不推荐这个版本。
Windows 8 Enterprise:企业版,功能最齐全的版本,不过无法添加WMC,属批量授权版本。

SSD/USB Drive新手教程:SLC与MLC技术详解


不知不觉中,SLC与MLC已经成为了大家谈论的热门话题。不信?在google里面搜索一下 SLC空格MLC,排在前面的都是大家耳熟能详的热门IT门户网站的热门连接。要知道在google上输入英文专业词汇一般都是好几页也见不到中文的。
  虽说,急流中应勇退,但是看到大家对SLC与MLC还存在很多盲点,还存在很多认识上的偏差,在这个时候应该有这样一篇文章来引导真正理性客观的讨论。
  为了写这样一篇文章,也查阅了很多资料,尽量做到兼顾专业性和通俗性,尽量保证资料的正确性和可验证性,尽量了解最新的技术进展,做到与时俱进,但是本人并非这方面专业人士,一些疏漏甚至错误可能难以避免,请读者不吝指出,互相交流的过程也是学习提高的过程。(在这过程中很多次看到一些很合用的资料,无奈在收费的资料库里面,并非可以免费使用,只好看着google里面诱人的简介段落狠狠的吞一下口水了,特别是ieeexplore.ieee.org,似乎有很多好资料在里面啊。)
什么是通常所说的SLC与MLC
  MLC是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的,其作用是将两个位的信息存入一个浮动栅(Floating Gate,闪存存储单元中存放电荷的部分),然后利用不同电位(Level)的电荷,透过内存储存格的电压控制精准读写,假设以4种电压控制、1个晶体管可存取2 bits 的数据,若是控制8种电压就可以存取3 bits 的数据,使Flash 的容量大幅提升,类似Rambus的QRSL技术,通过精确控制浮动栅上的电荷数量,使其呈现出4种不同的存储状态,每种状态代表两个二进制数值(从00到11)。
  另外这里要提及的是3星还有3值存储的MLC(3-Level MLC NAND Flash Memory ) 读写速度上有很大提高。
  同理可知,所谓SLC就是每一个存储单元只存储1bit的信息。即浮动中,只区分“有”或“无”电子两种状态。
  这里提及一点,很多专业人员认为SLC并非一个规范的名称,因为,SLC与MLC的对应,Single Level Cell 对应于Multi Level Cell,而很显然的,SLC并非single level,而是2-level,所以也有人称binary flash的。(也许应该缩写为BLC?)
  SLC与MLC的比较
  从上面可以看出,MLC并非单纯的在浮动栅中储存电荷,而是要精确控制储存电荷的多少,这就不可避免的造成了误码率高于SLC,相应的读写机构也更复杂,于是限制了读写速度。增加了耗电量(相同生产工艺下)同样的,买一个存储单元都会经历老化失效的过程,MLC的每一个单元要储存更为精细的电荷量并且在读取的时候分辨出来,这就造成了在同样的老化程度下,SLC的单元可以“坚持”工作,而MLC的存储单元则会出现错误。
  SLC与MLC相比下的优势,以及缺点的克服,就是很多资料归结出来的3点:
  1. 擦写寿命问题。SLC每个单元承受擦写次数是MLC单元的10倍
  2. 传输速度问题。未采用优化技术的MLC读写速度仅为SLC的1/2-1/3
  3. 耗电量问题.相同生产工艺下MLC读写机构更为复杂,耗电量更大
  关于写入寿命(读取不耗损寿命)这里要说一点,SLC通常标注为10W次,MLC标注为1W次,这个值是最小保证值。即此芯片在10w次(1W次)的读写过程中无任何单元新发失效。(出厂时候已经检测为坏块的区域除外)如果运气不太差的话,通过屏蔽掉一些容易老化的单元,整体寿命还可以得到很大程度的延长。
  当然,还有SLC与MLC的成品率,设计结构复杂化的问题,不过这都是生产厂商需要考虑的。
  但是,月有盈亏,纸有两面,MLC之所以能发展得越来越好,是因为SLC与MLC相比MLC具备SLC永远无法企及的优点。于是……请看下一节。

  后SLC时代序章
  在SLC与MLC的竞争中,MLC屡战屡败,而能屹立不倒,并发展完善,拉近差距,就是因为MLC掌握了“低成本”这个法宝。同样的生产工艺,采用MLC技术总是能提高将近一倍的容量,降低1/3左右的成本。SLC如果想提高容量,降低成本。就要寄希望于生产工艺的提升,生产工艺提升后MLC同样受益,所以MLC在容量密度上提升和成本控制上总是领先一步。有了成本大幅降低作为坚实的后盾,其他缺点的攻克也不过就是时间的问题。在巨大人力物力的投入下,MLC终于迎来了黄金时代——华彩乐章(全球FLASH产能吃紧,需求持续旺盛也是推动因素之一)。
  后SLC时代华彩乐章
  话说随着随身数码设备的持续升温,FLASH的需求量越来越大(特别是ipod为首的随身听,一举手一投足间就可引起全球市场供求关系的大变动)SLC与MLC之间的竞争已初见苗头,MLC凭借着自身大容量低成本得到了各路厂家的重视。随着大量的技术投入,MLC固有的缺点被逐一克服——
  1. 克服读写寿命劣势。
  讲这个问题之前先说说旁的,打个比方比如袜子,总是穿一个地方就容易磨漏,如果经常左右换一换无疑可以延长使用寿命。另有80/20原理,80%的人使用20%的资源,另20%的人使用80%的资源。在FLASH的应用过程中,这种趋势更加明显。从总体来看,整个FLASH拥有巨大的容量,即使每天都进行庞大数量的数据地写操作,整体的擦写次数仍然处于比较低的水平。另外一方面,由于便携设备的固有特性以及FAT文件系统的特性,诸如FAT表,日志文件,曲目数据库等处的一小部分区域都会经历比一般数据储存区频繁几十倍甚至几百倍的频繁擦写。导致这些区域的FLASH介质比其他区域老化的更快,在使用SLC与MLC时,对普通数码设备来说,低负荷的读写并不会造成很显著的问题,但是使用MLC的时候,如何避免这个问题就成了当务之急。否则,FLASH芯片会快速出现坏块,容量减少,读写不稳定的情况。
  幸运的是,在很久以前,这样一种技术就被开发出来,应用于高负荷读写条件的FLASH上了。
  他的名字叫做,Wear Leveling(中文一般翻译为耗损均衡,也有翻译为换位写入的)
  先看看Wear Leveling是怎样定义的:……..method uses a sophisticated algorithm that can map the same logical sector to different physical locations. This method, called wear-leveling, ensures that all write/erase cycles are evenly spread across the entire flash array.
  简单来说,就是用映射的方法,把将要写入的地址映射到写入次数最少的区块上面去,这样就达到了近量让FLASH芯片上各处的单元擦写次数保持尽量相似。大大延长了FLASH的使用寿命。Wear Leveling技术的实现,首先要依靠的就是flash区块里面的保留区(前文说到的时候还记得吧)。
  可以看到,在没有使用耗损均衡技术的时候,少部分单元因为频繁读写出现问题,这时候大部分单元仅仅进行了少量的读写。FLASH芯片的寿命被缩短了,更关键的,这小部分的出错(很多是随机性的)会影响到存储在上面的数据的安全。
  采用耗损均衡技术以后,可以看到,falsh芯片各处的读写次数趋于一致,少部分的频繁读写被分布到了整个存储介质上。FLASH芯片的局部老化现象得到了缓解,寿命得到了很大延长。
  细分一下,Wear Leveling又分为Dynamic Wear Leveling和Static Wear Leveling,(以下简称为动态耗损均衡和静态耗损均衡)动态耗损均衡的工作范围只限于动态数据(经常移动位置的数据或者删除变换的)和未使用空间之间。也就是说,如果一个区块被写入了数据,这部分就不在动态负载均衡管辖的范围(即称之为静态数据)。而静态负载均衡不会,他会强制搬移已经存储的数据到写入次数更少的区块中去,这样可以在更大程度上增加使用寿命和可靠性,不过代价就是要严重影响数据写入的速度,并且可能造成不必要的额外写入操作(数据搬迁时产生)。
  对于随身存储设备来说,很少有人在上面大量存储数据又长时间不改动的。(那一般代表设备被闲置很少使用),所以随身存储设备(PMP,MP3等)一般采用动态耗损均衡技术以确保更好的写入性能。
  现在很多厂商使用SLC与MLC的,都加入了Wear Leveling技术,原理上大同小异,更优秀的算法能带来更高的可靠性,更长的使用寿命和更快的读写速度。(SLC同样可以通过耗损均衡技术的使用来达到更高的可靠性)
  以最常见的MP3存储为例:普通的小文件增删操作,FAT表的修改操作对于FLASH整体的擦写次数的影响可以忽略不计(因为被Wear Leveling平均化到整个芯片上次数就很少了,MLC芯片一般1-4G容量可观),真正决定寿命的是写入数据的量,这里假设每次数据都被完全读出,然后写入新的数据直到充满(如果读写数据量不足100%寿命还会比本例预计要延长),每天一次(MP3用户通常的使用量),MLC可提供10000天,即27年稳定的使用寿命,即使每天完全擦写10次,仍然可以有2.7年的使用寿命——远大于产品保修期。如果有人说每天要擦写100次呢?请允许我先给他一板砖然后继续——MLC芯片一般1-4G容量起,即使高速读写(下文提到),每天读写100次仅仅花费在读写上的时间就会有10余小时,传输的数据量达到100-400GB——每天都这样可能么?当然,这样的环境又没有呢?有的,在固态硬盘高负荷工作的时候可能达到,不过固态硬盘一般使用SLC芯片搭配高级的耗损均衡算法,一般的PMP,MP3类产品是没有机会得到这样的使用机会的。
  2. 提高读写速度,快速传输提高效率
  MLC被人诟病的另外一点就是SLC与MLC相比较之下的明显低下的传输速度。现在这个劣势已经得到了巨大的提高。
  对于双通道技术,大家都耳熟能详,2块显卡并行工作可以提高速度,两条内存组成双通道可以极大提高内存带宽。同样的,MLC也可以组成双通道。多块芯片同时工作,性能加倍。但是不仅仅在使用2块芯片的时候可以,同一块芯片内部也可以集成2片晶元(堆叠技术),甚至一片晶元上可以集成2个甚至更多的读写单位(注意不是SLC&MLC里面那个cell)同步运作,提升速度。
  有篇文章值得一看(点击查看),在这篇文章里面,对多种存储卡进行了拆解,验明正身。
  令人唏嘘感慨的是,在10多款存储卡的评测中,这款MLC芯片的SD卡打败了很多SLC芯片的高速卡,获得了读写性能第一的桂冠。至此,MLC=读写速度低下的过时误解就应该完全被抛弃了(虽然在更广泛的评测中,这个速度虽然还占不到所有SD卡的第一位,但是不可否认这是很惊人的速度了),在随身存储设备中,ipod先行一步,读写性能也一直保持较高的水平,这当然得益于3星公司强力的技术支援。同时别忘了3星特有的3-值MLC FLASH,同样也是潜力无限。
  还有一个辅助因素就是ECC,SLC与MLC相比MLC通常需要4bit的ECC来保证数据的安全可靠,很多芯片内建硬件运算部分专门处理,也对读写速度的提升功不可没。
  3. 功耗随着制成的进步逐渐降低。
  这个就比较简单了,FLASH的生产工艺也在不停的进步着,90nM,甚至60nM都进入了实用阶段,制程的不断进步不仅大大降低了成本,提高了存储密度,也对功耗的降低起着良好的正面作用。不过SLC与MLC容量成本上的劣势类似,制程的提升在功耗上SLC无疑总是领先一步。好在随着技术的进步,FLASH芯片的功耗在随身设备中所占比重已经不大(强劲的主控芯片,需要动态刷新的DRAM芯片都成了耗能大户)采用MLC芯片所造成的待机时间的缩短已经达到了难以感知的程度。
  后SLC时代展望
  随着全球FLASH存储设备的高速增长,需求的加大,在SLC与MLC闪存的使用范围内,必将出现一次爆发性的增长,速度越来越快,容量越来越大,可靠性越来越高,在众多先进技术的保驾护航下,消费者无疑是最大的赢家。
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    单碟1TB的硬盘也已经面市,3T、4T硬盘在2012年已经降价进入普通用户电脑。超过2TB的硬盘在使用过程中需要一些必要条件,下面就来讲一下。

  其实,硬盘容量限制问题很早就出现了,最初是528MB、2.1GB,后来是3.2GB、4.2GB,但引起人们注意当属8.4GB容量的硬盘。虽然LBA(Ligical Block Address)逻辑块寻址模式突破了DOS系统下8.4GB容量的限制,但由于自身的限制,柱面的最大数是65536(216),磁头的最大数是16(24),扇区的最大数是255(28-1),因此能寻址的最大扇区数是267,386,880 (65536×16×255),一扇区是512字节,也就是说如果以CHS寻址方式,IDE硬盘的最大容量为136.9GB,这就是137GB容量限制的由来。
超过137GB容量的硬盘,可能会在一些主板上遭遇所谓的28bit LBA限制,当然主要是指一些推出时间较早的主板,但NVIDIA nForce2却仍然在使用28bit LBA IDE控制器。在这样的主板上虽然可以使用大容量的硬盘,但超出137GB以外的空间将无法识别,换句话说也就是被浪费了。


Technical Committee T13组织为了解决28bit LBA寻址模式的限制,对于ATA/ATAPI-6标准进行了一些修改,通过48bit LBA来支持更多的扇区,从而突破这一限制,其实后来Compaq、Microsoft、Maxtor联合推出的Big Drives规范就是T13组织提出的48bit方案为基础的,这种规范的中心思想就是增加CHS的位数,而柱面寄存器不变,这样就将原来LBA寻址中可用的寄存器空间从24bit提高到了48bit,可以寻址的扇区数就为281,474,976,710,655(65536×65535×65536),这样可支持的硬盘容量就达到了281,474,976,710,655×512=144,115,188,075,855,872字节,大致相当于144PB(1PB=1000,000,000,000,000字节),在一定时间内应该是足够使用了。

   从这里来说,支持2T,应该不成问题才对的啊?但为什么又会出现这个限制的呢,这个要从MBR说起。


   MBR,主引导记录(Master Boot Record),也就是现有的硬盘分区模式。MBR分区的标准决定了MBR只支持在2TB以下的硬盘,超过2TB的硬盘只能管理2TB(参见后文MBR介绍)!为解决这个大问题,微软和英特尔在EFI方案中开发了GPT分区模式。


   GPT,全局唯一标识分区表(GUID Partition Table),GUID,全局唯一标识符 (Globally Unique Identifier) 。GPT是EFI方案的一部分,但并不依赖于EFI主板,在BIOS主板的PC中也可使用GPT分区。与MBR最大4个分区表项的限制相比,GPT对分区数量没有限制,但Windows最大仅支持128个GPT分区。GPT可管理硬盘大小达到了18EB(1EB=1024PB=1,048,576TB),不过NTFS格式最大仅支持256TB。


对于使用2T以上硬盘的要求

由于MBR分区模式最大只能支持2TB硬盘,2.5T硬盘必须使用GPT分区模式!我们先未雨绸缪,看看Windows对GPT分区的支持情况:

  1. Windows 95/98/ME、Windows NT 4、Windows 2000、Windows XP 32 位版本不支持GPT分区,只能查看GPT的保护分区,GPT不会被装载或公开给应用软件;
  2. Windows XP x64 版本只能使用GPT磁盘进行数据操作,只有基于安腾处理器 (Itanium)的 Windows系统才能从 GPT 分区上启动;
  3. Windows Server 2003 32bit Server Pack 1 以后的所有Windows 2003版本都能使用GPT分区磁盘进行数据操作,只有基于安腾处理器(Itanium)的Windows系统才能从 GPT 分区上启动;
  4. Windows Vista 和 Windows Server 2008的所有版本都能使用GPT分区磁盘进行数据操作;但只有基于EFI主板的系统支持从GPT启动。

看到这里,我们知道了要想用2.5T硬盘:

  1. 首先,你得放弃2K和XP 32位版,改成人见人不爱的Vista或是人见人爱的WIN7;
  2. 你还得把基于BIOS的主板给扔了,换成EFI主板,否则即使换成Vista了,也只能把2.5T硬盘当从盘用。

否则,我们就只能对2.5T硬盘干瞪眼,哗哗地流口水。。。

MBR介绍
  在传统硬盘分区模式中,引导扇区是每个分区(Partition)的第一扇区,而主引导扇区是硬盘的第一扇区。它由三个部分组成,主引导记录MBR、硬盘分区表DPT和硬盘有效标志。在总共512字节的主引导扇区里MBR占446个字节,第二部分是Partition table区(分区表),即DPT,占64个字节,硬盘中分区有多少以及每一分区的大小都记在其中。第三部分是magic number,占2个字节,固定为55AA。
  MBR是不属于任何一个操作系统,也不能用操作系统提供的磁盘操作命令来读取它,但可以通过命令来修改和重写,如在minix3里面,可以用命令:installboot -m /dev/c0d0 /usr/mdec/masterboot来把masterboot这个小程序写到mbr里面,masterboot通常用汇编语言来编写。我们也可以用ROM-BIOS中提供的INT13H的2号功能来读出该扇区的内容,也可用软件工具Norton8.0中的DISKEDIT.EXE来读取。
  用INT13H的读磁盘扇区功能的调用参数如下:
  入口参数:AH=2 (指定功能号)
  AL=要读取的扇区数
  DL=磁盘号(0、1-软盘;80、81-硬盘)
  DH=磁头号
  CL高2位+CH=柱面号
  CL低6位=扇区号
  CS:BX=存放读取数据的内存缓冲地址
  出口参数:CS:BX=读取数据存放地址
  错误信息:如果出错CF=1 AH=错误代码
  用DEBUG读取位于硬盘0柱面、0磁头、1扇区的操作如下:
  A>DEBUG
  -A 100
  XXXX:XXXX MOV AX,0201 (用功能号2读1个扇区)
  XXXX:XXXX MOV BX,1000 (把读出的数据放入缓冲区的地址为CS:1000)
  XXXX:XXXX MOV CX,0001 (读0柱面,1扇区)
  XXXX:XXXX MOV DX,0080 (指定第一物理盘的0磁头)
  XXXX:XXXX INT 13
  XXXX:XXXX INT 3
  XXXX:XXXX (按回车键)
  -G=100 (执行以上程序段)
  -D 1000 11FF (显示512字节的MBR内容)
  在windows操作系统下,例如xp,2003,Vista,windows7,有微软提供的接口直接读写mbr;
  FILE * fd=fopen("\\\\.\\PHYSICALDRIVE0","rb+");
  char buffer[512];
  fread(buffer,512,1,fd);
  //then you can edit buffer[512] as your wish......
  fseek(fd,0,SEEK_SET); //很重要
  fwrite(buffer,512,1,fd); //把修改后的MBR写入到你的机器
  fclose(fd); //大功告成
  MBR组成
  一个扇区的硬盘主引导记录MBR由如图6-15所示的4个部分组成。
  •主引导程序(偏移地址0000H--0088H),它负责从活动分区中装载,并运行系统引导程序。
  •出错信息数据区,偏移地址0089H--00E1H为出错信息,00E2H--01BDH全为0字节。
  •分区表(DPT,Disk Partition Table)含4个分区项,偏移地址01BEH--01FDH,每个分区表项长16个字节,共64字节为分区项1、分区项2、分区项3、分区项4。
•结束标志字,偏移地址01FE--01FF的2个字节值为结束标志55AA,如果该标志错误系统就不能启动。

GPT介绍
  GPT(Globally Unique Identifier Partition Table Format)是一种由基于 Itanium 计算机中的可扩展固件接口 (EFI) 使用的磁盘分区架构。与主启动记录 (MBR) 分区方法相比,GPT 具有更多的优点,因为它允许每个磁盘有多达 128 个分区,支持高达 18 千兆兆字节的卷大小,允许将主磁盘分区表和备份磁盘分区表用于冗余,还支持唯一的磁盘和分区 ID (GUID)。
  与支持最大卷为 2 TB (terabytes) 并且每个磁盘最多有 4 个主分区(或 3 个主分区,1 个扩展分区和无限制的逻辑驱动器)的主启动记录 (MBR) 磁盘分区的样式相比,GUID 分区表 (GPT) 磁盘分区样式支持最大卷为 18 EB (exabytes) 并且每磁盘最多有 128 个分区。与 MBR 分区的磁盘不同,至关重要的平台操作数据位于分区,而不是位于非分区或隐藏扇区。另外,GPT 分区磁盘有多余的主要及备份分区表来提高分区数据结构的完整性。
  在“磁盘管理”中的磁盘属性对话框中的“卷”选项卡上,具有 GPT 分区样式的磁盘显示为 GUID 分区表 (GPT) 磁盘,而具有 MBR 分区样式的磁盘显示为主启动记录 (MBR) 磁盘。如果发生下列意外事件,可以在 GPT 磁盘上执行 MBR 磁盘支持的操作:
  在运行带有 Service Pack 1 (SP1) 的 Windows Server 2003 的基于 x86 的计算机和基于 x64 的计算机上,操作系统必须驻留在 MBR 磁盘上。其他的硬盘可以是 MBR 或 GPT。
  在基于 Itanium 的计算机上,操作系统加载程序和启动分区必须驻留在 GPT 磁盘上。其他的硬盘可以是 MBR 或 GPT。
  不能将 GPT 移至运行 Windows NT 4.0、Windows 2000、Windows XP 或 Windows Server 2003 的基于 x86 的计算机上。不过,可以将 GPT 磁盘从运行带有 SP1 的 Windows Server 2003 的基于 x86 的计算机或基于 x64 的计算机移至运行 Windows Server 2003 或 Windows XP 的基于 Itanium 的计算机上,反之亦然。
  不能使用基于 Itanium 的 Windows 版本,将 GPT 磁盘从基于 Itanium 的计算机移至运行带有 SP1 的 Windows Server 2003 的基于 x86 的计算机或基于 x64 的计算机,然后启动该操作系统。在非基于 Itanium 的计算机上使用的 GPT 磁盘必须仅用于数据存储。
  在单个动态磁盘组中既可以有 MBR,也可以有 GPT 磁盘。也使用将基本 GPT 和 MBR 磁盘的混合,但它们不是磁盘组的一部分。可以同时使用 MBR 和 GPT 磁盘来创建镜像卷、带区卷、跨区卷和 RAID-5 卷,但是 MBR 的柱面对齐的限制可能会使得创建镜像卷有困难。通常可以将 MBR 的磁盘镜像到 GPT 磁盘上,从而避免柱面对齐的问题。
  可以将 MBR 磁盘转换为 GPT 磁盘,并且只有在磁盘为空的情况下,才可以将 GPT 磁盘转换为 MBR 磁盘。
  不支持 EFI 系统分区的镜像。必须使用 bootcfg 命令克隆 EFI 系统分区。
  不能在可移动媒体,或者在与群集服务使用的共享 SCSI 或 Fibre Channel 总线连接的群集磁盘上使用 GPT 分区样式。
  可以使用 DiskPart.exe 命令行实用程序或 EFI 固件实用程序 Diskpart.efi 在基本 GPT 磁盘上创建分区。有关 DiskPart.exe 的详细信息,请参阅 DiskPart。有关“磁盘管理”管理单元的详细信息,请参阅磁盘管理概述。有关 Diskpart.efi 的详细信息,请参阅 Intel 网站。
  在基于 Itanium 的计算机上的系统恢复方案中,请参阅计算机所附带的制造商文档来重新创建或恢复 GPT 磁盘。
  有关管理 GPT 和 MBR 磁盘的详细信息,请参阅可扩展固件接口 或 Microsoft Windows 资源工具包网站上的“Disk Management”(磁盘管理)。

GPT的分区信息是在分区中,而不象MBR一样在主引导扇区,为保护GPT不受MBR类磁盘管理软件的危害,GPT在主引导扇区建立了一个保护分区(Protective MBR)的MBR分区表,这种分区的类型标识为0xEE,这个保护分区的大小在Windows下为128MB,Mac OS X下为200MB,在Window磁盘管理器里名为GPT保护分区,可让MBR类磁盘管理软件把GPT看成一个未知格式的分区,而不是错误地当成一个未分区的磁盘。

要做一根console线,一端是RJ-45水晶头,一端是DB-9 D型头(公头)。 
首先要找一个9针串口公头(DB-9)的接插件,一段网线,一个水晶头。 
水晶头-串口 
1-8 
2-6 
3-2 
4-5 
5-5 
6-3 
7-4 
8-7 
其中将水晶头头朝上,线朝下,铜片朝向自己的时候,从左到右为1~8; 
串口的公头,针的根部会有浮雕的号码,标明针号。